Brugtgrej.dk
Forside  |   Ny annonce  |   Forum  |   Nyhedsmails  |   Om brugtgrej  |   Kontakt Brugtgrej
169 online brugere
2431 online annoncer
SælgesKøbes

Forbindelse af FET transistor

Denne tråd er lukket for nye indlæg

#1  30/05-12 23:31
Børge Larsen
Indlæg: 241
Hej!
Har lige set forbindeler af N chanal FET, hvor Drain og Source var lagt sammen og så igen tilsluttet Gate på den næste FET.
Hvad kan ideen være med det. Det ser ikke ud som det er en tegne fejl.
Nogen god forklaring??

M.v.h.

Børge

#2  31/05-12 09:28
Steen Jensen

Indlæg: 788
Svar til #1:
Dette ser man også anvendt ved bi-polare transistorer.
Kan det mon være en kobling som: strømgenerator ?

#3  31/05-12 09:40
Kim Liljekrans, OZ5IQ
Indlæg: 975
Svar til #1:
Hej

Det virker nærmest ,som om - den er i overskud !

Ville man anvende den som konstantstrømsgenerator - lægges Source og Gate sammen, svarende til Databladsværdien IDSS
Men ellers ligner det en modifikation ?? Gain-reduktion ?

Eller en Impedans-ændring ?


VY 73 de OZ5IQ, Kim

Redigeret 31/05-12 10:08
#4  31/05-12 10:10
Kim Liljekrans, OZ5IQ
Indlæg: 975
Svar til #2:
Hej Steen

Koblingen af en FET som strømgenerator - lægges gate og source sammen - IDSS databladsstørrelse.


VY 73 de OZ5IQ, Kim

Redigeret 31/05-12 10:12
#5  31/05-12 10:41
OZ1BPZ Claus Christiansen
Indlæg: 2179
Svar til #1:
Det kunne muligvis være at man ville bruge fetén som spændigstyret kapacitet... men det lyder spøjst ..

----------
OZ7CC /OZ1BPZ / 5P1CC


#6  31/05-12 10:53
Erik
Indlæg: 1929
Svar til #1:
Mit bud: en fordobling af gate breakdown spændingerne for det samlede kredsløb, ditto indgangs impedancen og en halvering af gate lækstrøm og gate kapacitet?
Er det i RV 11'eren? Så har det garantert en nødvendig funktion. Hvad sidder der før koblingen, altså på gaten af den særegnede koblet fet?
Vh erik

----------
Mest SWL :-)

#7  31/05-12 11:32
Steen Jensen

Indlæg: 788
Svar til #6:
Hvis, det er B&O's instrumenter, så må det betegnes en: blærerøvskondensator / rigmandskomponent

:-)

#8  31/05-12 12:26
Kim Liljekrans, OZ5IQ
Indlæg: 975
Svar til #1:
Hej igen

Nææ - ved nærmere eftertanke tror jeg det handler om, den letteste måde at reducere gain på, er at koble FET´ en ud af systemet, UDEN, at spilde kræfter mere på det.

VY 73 de OZ5IQ, Kim

#9  31/05-12 12:28
Erik
Indlæg: 1929
Svar til #7:
Skrøne! Man kan da ikke tjene penge ved at forhøje produktions udgifterne ubegrundet!
Vh erik

----------
Mest SWL :-)

#10  31/05-12 12:44
OZ5ES, Ebbe
Indlæg: 1044
Svar til #1:
Det ser godt nok spøjst ud. Jeg går ud fra, at det er tr1 & tr2 på diagrammet her:
http://www.abo-center.dk/Abo_center_2/Testudsty r/RV11100317.pdf
?
Mvh Ebbe

----------
Mvh Ebbe.

#11  31/05-12 13:25
Søren Nielsen
Indlæg: 18
Svar til #1:
De to fet's er bare brugt som clamping dioder, altså beskyttelses dioder.

#12  31/05-12 16:03
OZ1BPZ Claus Christiansen
Indlæg: 2179
Svar til #11:
ja det er lige det der sker der :-)

----------
OZ7CC /OZ1BPZ / 5P1CC


#13  31/05-12 17:50
Steen Jensen

Indlæg: 788
Svar til #11:
Normalt så benytter man zenerdioder til dette og mange ESD følsomme FET's har sådanne indbygget i "huset".

V-MOSFET'en har "naturligt" indbygget "beskyttelsesdiode" fra Drain til Source pga. selve opbygningen af krystallen.

Redigeret 31/05-12 18:15
#14  31/05-12 23:40
Istvan Zarnoczay

Indlæg: 369
Svar til #1:
Det er da ikke så svært. Det er to dioder. Fra gate mod dran/source er der en diodestrækning. (Prøv og mål med en diodetester på en FET)
Hvorfor man gør det? Prisforskellen på en FET og en diode er minimal. (Det var den også da instrumentet blev udviklet.) Derimod så koster det en del at have en ekstra komponent placeret på en pick and place maskine. Hvis i kikker så er der ingen "almendlige" dioder monteret på hele printet. Så introduktionen af en ny komponent vil koste ekstra. Ergå så bruger man det man allerede har på komponent rullen.

----------
Istvan/OZ1EYZ
Livet er forkort til franske film og lave effekter

#15  01/06-12 09:45
Erik
Indlæg: 1929
Svar til #14:
Rigtig - men de var håndmonteret og maskinloddet. Jeg var lærling i den anden instrumet afdeling på B og o, den der lavede testudstyr til produktionen!
Hvad er den elektriske fordel ved en fet som diode?
Vh erik

----------
Mest SWL :-)

#16  01/06-12 11:36
Steen Jensen

Indlæg: 788
Svar til #15:
Kan det mon være pga. lav ledemodstand ligesom Schottky dioder ?

#17  01/06-12 12:22
Børge Larsen
Indlæg: 241
Svar til #1:
Tal til alle!
Jeg har fået mange gode forklaringer.
Den med clamping passer fint. Terminalerne har kontakt til funktions omskifteren før chopper forstærkeren i RV 11 voltmeteret.

Børge Larsen

#18  01/06-12 13:28
Richo Andersen - OZ1RA

Indlæg: 129
Svar til #1:

Ja det er clampdioder, som andre har foreslået.

Bedre end de fleste dioder på det tidspunkt.

Lav ON-modstand
Lav kapasitet
Lav lækstrøm
Hurtig respons
Tåler høj OFF-spænding

En rigtig god måde at få en god diode på, og selv om det var en dyr løsning, ligger den alligevel lige til højrebenet til anvendelse i et instrument.

Angående valg af komponenter til produktion, blev jeg noget forbavset da jeg engang snakkede med en ingeniør fra Skanti om deres måde at lave dobbelt balancerede blandere på. Jeg havde selv anvendt nogle parrede hp-dioder med rigtig gode data, hvor de havde brugt nogle meget billige dioder - det var simpelthen et spørgsmål om slutpris.

Snakkede også engang med en ingeniør fra Radiometer som havde lavet "verdens bedste målesender" - det blev ved prototypen, da den ville blive for dyr at lave - jeg fik fat i diagrammerne, og der var virkelig nogle der havde tænkt over tingene, og tænkt stort - jeg ved ikke om det var spildte kræfter, for erfaringerne kunne vel bruges andre steder :-)

/richo

#19  01/06-12 20:42
Steen Jensen

Indlæg: 788
Svar til #18:
Det kunne jo tænkes, at HP i USA eller Rohde und Schwarz i Tyskland allerede på det tidspunkt havde løst alle problemer med præcisionen i mange typer HF-udstyr !

;-)

#20  01/06-12 22:50
Richo Andersen - OZ1RA

Indlæg: 129
Svar til #19:

Det ved jeg da de havde, men kunne have været sjovt med en dansk :-)


/richo

Denne tråd er lukket for nye indlæg